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钨铜电子封装材料，既具有钨的低膨胀特性，又具有铜的高导热特性，尤为可贵的是，其热膨胀系数和导热导电性能可以通过调整材料的成分而加以设计，因而给该材料的应用带来了极大的方便。
我公司采用高纯的优质原料，经压制成形、高温烧结及熔渗后，得到性能优良的WCu电子封装材料及热沉材料。
钨铜（WCu）电子封装材料优势：
1. 钨铜电子封装材料具有可以调整的热膨胀系数，可以与不同基体（如：不锈钢，可阀合金，硅，砷化镓，氮化镓，氧化铝等）相匹配；
2. 未添加烧结活化元素，保持着良好的导热性能；
3. 孔隙率低，产品气密性好；
4. 良好的尺寸控制，表面光洁度和平整度。
5. 提供片材，成型件，也可以满足电镀需求。
性能：
牌号
钨含量Wt%
密度 g/cm3
热膨胀系数×10-6 CTE（20℃）
导热系数W/（M·K）
90WCu
90±2%
17.0
6.5
180 (25℃) /176 (100℃)
85WCu
85±2%
16.4
7.2
190 (25℃)/ 183 (100℃)
80WCu
80±2%
15.65
8.3
200 (25℃) / 197 (100℃)
75WCu
75±2%
14.9
9.0
230 (25℃) / 220 (100℃)
50WCu
50±2%
12.2
12.5
340 (25℃) / 310 (100℃)
应用：
适用于与大功率器件封装的材料，如基片、下电极等；高性能的引线框架；军用和民用的热控装置的热控板和散热器等。
我公司采用高纯的优质原料，经压制成形、高温烧结及熔渗后，得到性能优良的WCu电子封装材料及热沉材料。
钨铜（WCu）电子封装材料优势：
1. 钨铜电子封装材料具有可以调整的热膨胀系数，可以与不同基体（如：不锈钢，可阀合金，硅，砷化镓，氮化镓，氧化铝等）相匹配；
2. 未添加烧结活化元素，保持着良好的导热性能；
3. 孔隙率低，产品气密性好；
4. 良好的尺寸控制，表面光洁度和平整度。
5. 提供片材，成型件，也可以满足电镀需求。
性能：
牌号
钨含量Wt%
密度 g/cm3
热膨胀系数×10-6 CTE（20℃）
导热系数W/（M·K）
90WCu
90±2%
17.0
6.5
180 (25℃) /176 (100℃)
85WCu
85±2%
16.4
7.2
190 (25℃)/ 183 (100℃)
80WCu
80±2%
15.65
8.3
200 (25℃) / 197 (100℃)
75WCu
75±2%
14.9
9.0
230 (25℃) / 220 (100℃)
50WCu
50±2%
12.2
12.5
340 (25℃) / 310 (100℃)
应用：
适用于与大功率器件封装的材料，如基片、下电极等；高性能的引线框架；军用和民用的热控装置的热控板和散热器等。
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