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5v2a电源适配器芯片ic方案
5V2A的电源适配器 是市场上应用比较多的类型，它支持的功能全面，而且稳定， 骊微电子PN8370M+PN8306L 5V2A充电器ic六级能效充电方案，该方案拥有低待机、高效率、小体积、高可靠性等优点，备受工程师青睐！
PN8370M集成超低待机功耗准谐振原边控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。
PN8306M集成同步整流控制器及高雪崩能力MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管，提升转换效率，使得系统效率可以满足6级能效标准，并留有足够裕量。
5v适配器ic低功耗充电器芯片方案亮点 ：
1、外围简洁（节省8颗元件）：PN8370M节省2颗启动电阻；PN8306M独特控制技术可实现零外围工作，节省传统SR方案的供电RC滤波，SW侦测电阻，RT电阻，RC吸收等6颗元件。
2、高可靠性：a.方案三道防线，实现SR与PSR零直通风险；b.芯片HBM ESD大于4kV，latchup电流大于400mA，显著提高系统安规能力，接触静电高达15kV； c.PSR与SR匹配工作，彻底避免小载采样冲突，异常工况下，SR做好配角，PSR主导所有异常保护。
3、低待机功耗：PN8370M内置高压启动，可轻松实现50mW待机功耗。
5V 2A电源适配器低功耗高效率的开关电源方案获得广大客户认可，并成功的在市场投入使用，骊微电子本着低价格、高效率，低功率，高效应的宗旨，向市场推送更完美的电源芯片，同时，我们将为您提供高效、方便、理想的服务，详情了解关于开关电源芯片或需设计开关电源方案请搜索骊微电子咨询了解更多。
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PN8370M集成超低待机功耗准谐振原边控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。
PN8306M集成同步整流控制器及高雪崩能力MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管，提升转换效率，使得系统效率可以满足6级能效标准，并留有足够裕量。
5v适配器ic低功耗充电器芯片方案亮点 ：
1、外围简洁（节省8颗元件）：PN8370M节省2颗启动电阻；PN8306M独特控制技术可实现零外围工作，节省传统SR方案的供电RC滤波，SW侦测电阻，RT电阻，RC吸收等6颗元件。
2、高可靠性：a.方案三道防线，实现SR与PSR零直通风险；b.芯片HBM ESD大于4kV，latchup电流大于400mA，显著提高系统安规能力，接触静电高达15kV； c.PSR与SR匹配工作，彻底避免小载采样冲突，异常工况下，SR做好配角，PSR主导所有异常保护。
3、低待机功耗：PN8370M内置高压启动，可轻松实现50mW待机功耗。
5V 2A电源适配器低功耗高效率的开关电源方案获得广大客户认可，并成功的在市场投入使用，骊微电子本着低价格、高效率，低功率，高效应的宗旨，向市场推送更完美的电源芯片，同时，我们将为您提供高效、方便、理想的服务，详情了解关于开关电源芯片或需设计开关电源方案请搜索骊微电子咨询了解更多。
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